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提供一种特性的不均匀小的半导体装置。沉积第一绝缘体，在第一绝缘体上沉积金属氧化物，在金属氧化物上沉积第二绝缘体，在第二绝缘体上沉积氧化膜，通过进行热处理，第一绝缘体中、第二绝缘体中及氧化物中的氢移动到金属氧化物且被吸収，金属氧化物通过ALD...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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