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本发明涉及晶片处理室及系统。该晶片处理室包括：壳体；安置在壳体上的第一闸阀；安置成接近于第一闸阀的第一喷射器口；安置在壳体外部的第一隔离阀；耦接到第一隔离阀的第一流量限制器；安置在壳体内的负载锁定喷射器口；安置在壳体外部的负载锁定隔离阀；耦...
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