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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底、存储单元及外围电路。衬底具有阵列区以及位于阵列区至少一侧的周边区。存储单元位于阵列区，包括：第一栅极结构以及存储栅极结构。存储栅极结构包括：层叠设置的浮动栅极和控制栅极。外围电路位...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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