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公开了三维半导体器件及其制造方法。所述器件包括：第一有源区，在衬底上，并且包括第一源/漏图案和被连接到所述第一源/漏图案的第一沟道图案；第一有源接触部，在所述第一源/漏图案上；第二有源区，在所述第一有源区和所述第一有源接触部上，并且包括第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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