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本申请提供了一种沟槽氧化层制作方法与半导体器件，涉及半导体技术领域。首先提供一带有沟槽的碳化硅外延层，接着沿沟槽的表面氧化形成第一氧化层，然后沿第一氧化层的表面沉积非晶硅；其中，非晶硅的厚度大于第一氧化层的厚度，最后将非晶硅氧化，并在第一氧...
该专利属于通威微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威微电子有限公司授权不得商用。

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