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本发明提供下述技术，所述技术进行：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给成膜阻碍气体，在第1基底的表面形成成膜阻碍层的工序；(b)向在第1基底的表面形成成膜阻碍层之后的衬底供给成膜气体，在第2基底的表面上形成膜的工序；和(c)在非等...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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