温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供了半导体结构及其形成方法。可以在衬底上方形成多个垂直堆叠件。每个垂直堆叠件从底部到顶部包括底部电极、介电柱和顶部电极。可以在多个垂直堆叠件上方形成连续的有源层和栅极介电层。牺牲间隔件形成在多个垂直堆叠件周围。通过用介电填充材...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。