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为了实现更高可靠性ＴＦＴ和高可靠性半导体器件，本发明的ＮＴＦＴ在半导体层中具有沟道形成区、ｎ型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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