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一种磁阻随机存取存储器(MRAM)装置包括：自旋轨道矩结构，包括氧化物层图案、铁磁图案和非磁性图案的堆叠件；以及位于自旋轨道矩结构上的磁隧道结(MTJ)结构，MTJ结构包括自由层图案、隧道势垒图案和钉扎层图案的堆叠件，其中，自旋轨道矩结构沿...
该专利属于韩国科学技术院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国科学技术院授权不得商用。

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