温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种硅片表面薄膜厚度的测试方法，包括：准备标样以及待测样片，其中所述标样的硼元素浓度为已知；用二次离子质谱仪测出所述标样的硼离子及硅离子强度，计算得到RSF值；用二次离子质谱仪测出所述待测样品的硼离子及硅离子强度，用台阶仪测试样品...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。