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本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容沟槽单元，电容沟槽单元包括：位于半导体衬底中的若干电容沟槽组，若干电容沟槽组围绕一特定位置排布，每一电容沟槽组包括至少两个平行设置的电容沟槽；每一电容沟槽中均形成有包括上电极、中电极和下电极...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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