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本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面，并在所述第二底部延长面的同一平面设置第二顶部延长面和...
该专利属于深圳瑞沃微半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳瑞沃微半导体科技有限公司授权不得商用。

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