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本申请公开了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件，复合衬底的制备方法包括：获取衬底；对衬底进行离子注入，将衬底分隔成第一衬底层、第二衬底层和有离子注入的掺杂层，掺杂层设于第一衬底层与第二衬底层之间，第一衬底层的厚度小于第二衬底层的厚度；在第...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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