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本发明公开了一种低翘曲度晶圆减薄方法、系统、电子设备和存储介质，涉及半导体制造技术领域。将原始晶圆进行机械研磨得到第一晶圆，并根据原始晶圆的材料属性和机械研磨的加工参数计算损伤层的第一初始厚度；使用RIE对第一晶圆进行抛光；使用干涉仪采集第...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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