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本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种氧化镓铟薄膜及其制备方法。包括以下步骤：1）在固体金属靶材表面形成镓铟合金层；2）利用磁控溅射方法对步骤1）固体金属靶材表面的镓铟合金层进行溅射，并在衬底上沉积薄膜；3）对步骤2）得到的薄膜进行...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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