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一种微缺陷测量结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,衬底表面具有待测微缺陷结构;在衬底表面和待测微缺陷结构表面形成第一放大层,第一放大层的材料在待测微缺陷结构表面的生长速率与在衬底表面的生长速率不同,使待测微缺陷结构表面的第一放大层厚度...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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