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在制造半导体器件的方法中，形成源极/漏极外延层，在源极/漏极外延层上方形成一个或多个介电层，在一个或多个介电层中形成开口以暴露源极/漏极外延层，在暴露的源极/漏极外延层上形成第一硅化物层，在第一硅化物层上形成与第一硅化物层不同的第二硅化物层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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