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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种减少半导体表面能量聚集的方法，通过先对半导体进行预清洁，再以碳靶作为靶材，采用FCVA工艺在半导体的表面沉积DLC层，其中，所述DLC层以0度角沉积，接着在所述DLC层上形成氟离子掺杂层，氟离子掺杂层具有...
该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。

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