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本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种氧化镓肖特基二极管，其自下至上包括阴极金属、衬底、n型Ga2O3外延层和阳极金属，还包括SiO2保护环和SiO2场板，SiO2保护环贯穿n型Ga2O3外延层，且其上、下表面与n型Ga2O3外延...
该专利属于西安电子科技大学杭州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学杭州研究院授权不得商用。

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