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一种制造功率半导体器件（1）的方法（200），包括：提供（210）半导体本体（10）；在半导体本体（10）处形成（220）多晶半导体区（141）；在多晶半导体区（141）处形成（230）非晶子层；使非晶子层（142）经受（240）再结晶处理...
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