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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以简化CFET器件的制造流程，降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上依次形成隔离层和掺杂半导体层。掺杂半导体层各区域的掺杂类型和掺杂浓度均相同。重复...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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