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一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖接触插塞的上表面的第一阻挡层，第一阻挡层包括非晶材料；在第一阻挡层上形成下电极层；以及在下电极层上形成磁隧道结结构层。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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