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本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多腔室半导体设备。本发明提供的多腔室半导体设备，包括过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接...
该专利属于拓荆科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技股份有限公司授权不得商用。

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