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本发明公开了一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用，涉及半导体技术领域。本发明具体过程如下：以结晶乙酸锌简单气相蒸镀法在叉指电极表面生长ZnO晶种层，以结晶硝酸锌、1,2
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该专利属于山东理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东理工大学授权不得商用。

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