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本发明提供了一种MOS晶体管失配模型的建模方法，包括：步骤S1：测试一对MOS晶体管的失配值；步骤S2：建立所述失配值与所述MOS晶体管的沟道长度和沟道宽度之间的关系式；步骤S3：循环步骤S1～步骤S2，以获取多对MOS晶体管的失配值与所述...
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