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本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，坩埚...
该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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