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本发明公开了一种注入保护层厚度控制方法及装置，通过在栅极侧墙刻蚀阶段，利用将刻蚀气体中的氧气等离子化，对衬底表面进行氧化，在衬底表面上形成原生氧化层，并在刻蚀阶段，根据厚度管控规格要求，通过设定偏置功率，对原生氧化层的厚度进行控制，以形成满...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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