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本发明提供一种闪存器件的电容测试结构及其制备方法，方法包括：提供一半导体结构；去除形成于外围器件区的浮栅多晶硅层、栅间介质层、控制栅多晶硅层及所述浮栅氧化层以漏出所述衬底，并于其表面形成外围栅氧化层及外围栅极多晶硅层；刻蚀形成于存储器件区的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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