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本发明提供了一种太阳能电池的制备方法。与现有技术相比，本发明先在硅片背面生长一层超薄的氧化层形成隧穿层，其次在氧化层上沉积掺磷的非晶硅薄膜，随后在高温下退火，使沉积的非晶硅薄膜结晶成多晶硅层以加强钝化效果，该氧化层和多晶硅层共同构成TOPC...
该专利属于滁州捷泰新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过滁州捷泰新能源科技有限公司授权不得商用。

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