下载用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构的技术资料

文档序号:36192325

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本发明属于半导体制造技术领域,提供了一种用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构,其中方法包括:S1、在Si外延衬底的正面和背面同时生长一层ONO层,分别为正面ONO层和背面ONO层;S2、在正面ONO层上形成一负胶层,所述负胶层位于所述正面ON...
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