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本发明公开了一种器件漏电流模型，用于仿真半导体器件的漏电流。器件漏电流模型的漏电流由主体函数乘以第一函数形成。第一函数为由半导体器件的有源区环境参数形成的函数，用于模拟有源区环境对漏电流的影响。本发明还公开了一种器件漏电流模型的提取方法。本...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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