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本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，由于依次采用两次刻蚀工艺刻蚀氧化层以形成沟槽，同时两次刻蚀工艺采用50mT～100mT的高压。进而使得刻蚀过程中的等离子体具有横向刻蚀的能力，不仅能够去除残留聚合物，同时可以使等离子体在反应腔里产生更...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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