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一种MOS结构制造技术
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文档序号:35934377
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本实用新型公开了一种MOS结构,包括MOS管本体,所述MOS管本体的上端设置有凹槽,所述凹槽的内部设置有散热机构,所述MOS管本体的下端固定连接有安装机构,所述安装机构包括限位仓,所述限位仓的下端四角均设置有限位滑槽,所述限位仓的两侧开口内...
该专利属于宁波旭昕微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波旭昕微电子有限公司授权不得商用。
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