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本发明属于含钼薄膜前驱体技术领域，具体涉及一种ALD前驱体钼配合物及其制备方法。本发明公开了一种新型的钼配合物，该钼配合物具有式(Ⅰ)所示的结构，该钼配合物在室温下是液体，具有良好的挥发性和高热稳定性，可以作为气相沉积的前驱体实现含钼薄膜的...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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