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本发明一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；顶部沟槽，形成在衬底正面；下层电极，其覆盖顶部沟槽的底部、侧壁并延伸覆盖衬底表面；氧化物功能层，形成在所述下层电极上；粘附层，形成在所述氧化物功能层上；顶层电极，形成在所述...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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