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本发明公开了一种绿光发光二极管外延片及其制备方法、绿光发光二极管，涉及半导体光电器件领域。绿光发光二极管包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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