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提供一种模拟磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。所述模拟MRAM单元包含磁性自由层，所述磁性自由层具有第一畴、第二畴及畴壁，所述第一畴具有第一磁化方向，所述第二畴具有与所述第一磁化方向相反的第二磁化方向，所述畴壁位于所述第一畴与所述第二畴之...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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