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本申请公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面上形成外延层；在所述外延层表面的部分区域上形成电极结构；形成覆盖所述电极结构以及所述外延层的钝化层；其中，所述钝化层包括：在第一方向上依次...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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