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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；第一介电层，位于基底上；第一金属互连线，位于第一介电层中，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，包括下层子互连线和上层子互连线，上层子互连线位于下层子互连线上方，在第二方向上，下层子互连线和上...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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