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本发明涉及一种低温化学气相反应法制备SiC涂层的方法，主要用于碳素材料的抗氧化保护。该方法采用适量Si粉、SiO2粉以及适量SiO粉为反应原料，通过化学气相反应法在较低温度下制备SiC涂层。该方法工艺简单，制备的涂层结构致密均匀，晶粒细小，...
该专利属于湖南联合半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南联合半导体科技有限公司授权不得商用。

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