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本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种双波长垂直腔面发射半导体激光器、光学设备及制备方法，包括自上而下依次排列的输出耦合镜、泵浦光源、增透膜、短波长发光区、高对比度光栅、长波长发光区、布拉格反射镜、散热组件，增透膜设置在短波长发光区朝向所...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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