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环绕式栅极场效晶体管制造技术
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文档序号:35839832
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本实用新型是一种环绕式栅极场效晶体管,包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层;该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层,该第一层是由第一二维半导体材料所形成,该第二层是由第二二维半导体材料所形成...
该专利属于瑞砻科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过瑞砻科技股份有限公司授权不得商用。
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