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本发明公开了一种新型的屏蔽栅沟槽(SGT)式超级结(SJ)MOSFETs，所述的SGT SJ MOSFET具有位于氧化层电荷平衡(OCB)区的第一类型多阶梯外延(MSE)结构，以及位于SJ区的第二类型MSE结构，以降低器件的比导通电阻(Rs...
该专利属于深圳安森德半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳安森德半导体有限公司授权不得商用。

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