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本申请提供了一种太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池领域。所述方法包括:在目标硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层,并对所述非晶硅层进行磷掺杂,得到多晶硅层的第二掺杂部分;在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层;在所述多晶硅层的第二掺杂部分...该专利属于滁州捷泰新能源科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过滁州捷泰新能源科技有限公司授权不得商用。
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