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本发明公开了一种用于改善深紫外LED空穴激活效率的外延生长方法，包括如下步骤：S1，制备深紫外LED外延片；S2，在氮气氛围下，对深紫外LED外延片进行若干周期的原位退火；S2步骤的单一原位退火周期中，腔体压力或者氮气流量中任一工艺参数呈先...
该专利属于苏州紫灿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州紫灿科技有限公司授权不得商用。

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