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本发明提供了一种DDDMOS器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的DDDMOS器件的制造方法中，其在常规的ESD DDDMOS器件结构的基础上，将该器件的漏区的N
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该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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