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本发明提供一种锗硅异质结晶体管及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，在其上形成第一电介质层、赝栅和第二电介质层；形成第三电介质层；形成第一锗硅层、第二多晶硅层、第四电介质层；去除第二电介质层和第三电介质层；形成第五电介质层；去除赝栅上...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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