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本申请公开一种半导体工艺设备的上电极装置及半导体工艺设备，所公开的上电极装置包括基部、射频馈入柱、扩散板、筒状结构件、磁控管和靶材，其中：射频馈入柱设于基部的中心，射频馈入柱具有馈入端，馈入端与扩散板相连，扩散板固定在筒状结构件的第一端口，...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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