温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极两侧的衬底中形成有源极和漏极；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底和所述金属栅极；执行干法刻蚀工艺，在所述金属栅极上方形成第一接触孔，并在所述源极和漏极...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。