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本申请公开了一种MOS器件的制备方法，包括：去除第一目标区域的多晶硅层和第一氧化层；形成第二氧化层，第二氧化层覆盖多晶硅层、第一氧化层和衬底暴露的表面；去除多晶硅层顶部和第一目标区域中预定区域的第二氧化层，剩余的第二氧化层在多晶硅层和所述第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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